LM358DT vs NCV2904DR2G Comparação

Comparação detalhada lado a lado de LM358DT por STMicroelectronics e NCV2904DR2G por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro LM358DT NCV2904DR2G
Marca STMicroelectronics onsemi
Categoria Amplifier ICs Amplifier ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,05 $0,19
Number of Channels 2 —
Supply Voltage (Single) 3 V to 32 V —
Supply Voltage (Split) ±1.5 V to ±16 V —
Quiescent Current (per Amp) 350 µA (typical) —
Input Offset Voltage 2 mV (typical) —
Input Bias Current 45 nA (typical) Low input bias current
Gain-Bandwidth Product 1.1 MHz —
Slew Rate 0.6 V/µs —
Common-Mode Rejection Ratio 85 dB (typical) —
Power Supply Rejection Ratio 100 dB (typical) —
Output Current 40 mA (source/sink) —
Faixa de temperatura de operação 0°C to +70°C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Encapsulamento SOIC-8 (SO-8) SOIC-8 (Case 751, D suffix)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Amplifier Type — General Purpose Operational Amplifier
Number of Circuits — 2
Supply Voltage (Single Supply) — 3.0 V to 26 V
Supply Voltage (Split Supply) — +/-1.5 V to +/-13 V
Common Mode Input Range — Extends to ground/VEE
Output — Short circuit protected
Input Stage — True differential input
Compensation — Internally compensated
ESD Protection — ESD clamps on inputs
Power Drain — Low power drain
Qualification — NCV automotive grade

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação