M29F160FB55N3F2 vs M29F800FB55N3F2 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29F160FB55N3F2 von Micron Technology und M29F800FB55N3F2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FB55N3F2 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | M29F160FB55N3F2 | M29F800FB55N3F2 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Obsolete | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,60 | $2,47 |
| Speichertyp | Parallel NOR Flash | — |
| Density | 16777 kbits (16 Mbit) | — |
| Speicherorganisation | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits | 1M x 8 / 512K x 16 |
| Number of Words | 1000 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Versorgungsspannung | 5 V | 5 V |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | Bottom Boot Block |
| Betriebstemperatur | -40 to +125 C | -40C to +125C |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Package Type | 48-TSOP | 48-pin TSOP1 |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination Finish | Lead-free (F2 suffix) | — |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | Embedded byte/word program algorithms |
| Block Protection | Hardware boot block protection | — |
| RoHS-Status | Compliant (lead-free) | Compliant (lead-free terminations) |
| Speed Grade (from MPN) | 55 (55 ns) | — |
| Memory Density | — | 8389 kbits (8 Mbit) |
| Schnittstellentyp | — | Parallel NOR |
| Temperature Grade | — | Automotive (AEC-Q100) |
| Package Shape | — | Rectangular (JESD designation TSOP1) |
| Terminal Count | — | 48 |
| JESD-609 Termination Code | — | e3 (lead-free) |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |