M29F160FB55N3F2 vs M29F800FB55N3F2 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29F160FB55N3F2 от Micron Technology и M29F800FB55N3F2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FB55N3F2 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | M29F160FB55N3F2 | M29F800FB55N3F2 |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Obsolete | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $5,60 | $2,47 |
| Тип памяти | Parallel NOR Flash | — |
| Density | 16777 kbits (16 Mbit) | — |
| Организация памяти | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits | 1M x 8 / 512K x 16 |
| Number of Words | 1000 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Напряжение питания | 5 V | 5 V |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | Bottom Boot Block |
| Рабочая температура | -40 to +125 C | -40C to +125C |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Package Type | 48-TSOP | 48-pin TSOP1 |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Termination Finish | Lead-free (F2 suffix) | — |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | Embedded byte/word program algorithms |
| Block Protection | Hardware boot block protection | — |
| Статус RoHS | Compliant (lead-free) | Compliant (lead-free terminations) |
| Speed Grade (from MPN) | 55 (55 ns) | — |
| Memory Density | — | 8389 kbits (8 Mbit) |
| Тип интерфейса | — | Parallel NOR |
| Temperature Grade | — | Automotive (AEC-Q100) |
| Package Shape | — | Rectangular (JESD designation TSOP1) |
| Terminal Count | — | 48 |
| JESD-609 Termination Code | — | e3 (lead-free) |
| Packaging | — | Tape & Reel (T/R) |