M29F200FT55N3F2 vs M29F200FT55N3E2 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29F200FT55N3F2 von Micron Technology und M29F200FT55N3E2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron
M29F200FT55N3E2 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | M29F200FT55N3F2 | M29F200FT55N3E2 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Speichertyp | NOR Flash, Parallel | NOR Flash |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Speicherorganisation | 256K x 8-bit / 128K x 16-bit | — |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Number of Words | 128 K | 128 k |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | — |
| Program/Erase | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Betriebstemperatur | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Gehäuse | 48-pin TSOP | 48-TSOP I |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Schnittstelle | Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus | Parallel |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | Tray |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Memory Organization | — | 256K x 8 / 128K x 16 |
| Versorgungsspannung | — | 5 V |
| Boot Block | — | Top boot block |
| Program / Erase | — | Embedded program/erase controller |
| Bus Mode | — | Byte (x8) / Word (x16) selectable |