M29F200FT55N3F2 vs M29F200FT55N3E2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de M29F200FT55N3F2 por Micron Technology e M29F200FT55N3E2 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ Ativo
Micron Technology
M29F200FT55N3E2 M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FT55N3E2 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3E2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,00 $0,00
Tipo de memória NOR Flash, Parallel NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
Organização da memória 256K x 8-bit / 128K x 16-bit —
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Access Time 55 ns 55 ns
Number of Words 128 K 128 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Program/Erase Embedded byte/word program algorithms —
Temperatura de operação -40C to +125C -40C to +125C
Encapsulamento 48-pin TSOP 48-TSOP I
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Interface Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus Parallel
Packaging Tape & Reel (TR suffix) Tray
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Nível MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Memory Organization — 256K x 8 / 128K x 16
Tensão de alimentação — 5 V
Boot Block — Top boot block
Program / Erase — Embedded program/erase controller
Bus Mode — Byte (x8) / Word (x16) selectable

Fichas técnicas e recursos

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