M29F200FT55N3F2 vs M29F200FT55N3E2 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29F200FT55N3F2 от Micron Technology и M29F200FT55N3E2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron
M29F200FT55N3E2 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | M29F200FT55N3F2 | M29F200FT55N3E2 |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Тип памяти | NOR Flash, Parallel | NOR Flash |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Организация памяти | 256K x 8-bit / 128K x 16-bit | — |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Number of Words | 128 K | 128 k |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | — |
| Program/Erase | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Рабочая температура | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Корпус | 48-pin TSOP | 48-TSOP I |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Интерфейс | Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus | Parallel |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | Tray |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Memory Organization | — | 256K x 8 / 128K x 16 |
| Напряжение питания | — | 5 V |
| Boot Block | — | Top boot block |
| Program / Erase | — | Embedded program/erase controller |
| Bus Mode | — | Byte (x8) / Word (x16) selectable |