M29F200FT55N3F2 vs M29F200FT55N3E2 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29F200FT55N3F2 제조: Micron Technology 및 M29F200FT55N3E2 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29F200FT55N3F2 | M29F200FT55N3E2 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $0.00 |
| 메모리 유형 | NOR Flash, Parallel | NOR Flash |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | 2 Mbit (2097 kbits) |
| 메모리 구성 | 256K x 8-bit / 128K x 16-bit | — |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Number of Words | 128 K | 128 k |
| Bits per Word | 16 bits | 16 bits |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | — |
| Program/Erase | Embedded byte/word program algorithms | — |
| 동작 온도 | -40C to +125C | -40C to +125C |
| 패키지 | 48-pin TSOP | 48-TSOP I |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 인터페이스 | Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus | Parallel |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | Tray |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Memory Organization | — | 256K x 8 / 128K x 16 |
| 공급 전압 | — | 5 V |
| Boot Block | — | Top boot block |
| Program / Erase | — | Embedded program/erase controller |
| Bus Mode | — | Byte (x8) / Word (x16) selectable |