M29F200FT55N3F2 vs M29F200FT55N3E2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29F200FT55N3F2 par Micron Technology et M29F200FT55N3E2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ Actif
Micron Technology
M29F200FT55N3E2 M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FT55N3E2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3E2
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $0,00
Type de mémoire NOR Flash, Parallel NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
Organisation de la mémoire 256K x 8-bit / 128K x 16-bit —
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Access Time 55 ns 55 ns
Number of Words 128 K 128 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Program/Erase Embedded byte/word program algorithms —
Température de fonctionnement -40C to +125C -40C to +125C
Boîtier 48-pin TSOP 48-TSOP I
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Interface Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus Parallel
Packaging Tape & Reel (TR suffix) Tray
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Memory Organization — 256K x 8 / 128K x 16
Tension d'alimentation — 5 V
Boot Block — Top boot block
Program / Erase — Embedded program/erase controller
Bus Mode — Byte (x8) / Word (x16) selectable

Fiches techniques et ressources

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