M29F200FT55N3F2 vs M29F200FT55N3E2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29F200FT55N3F2 por Micron Technology y M29F200FT55N3E2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ Activo
Micron Technology
M29F200FT55N3E2 M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FT55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FT55N3E2 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3E2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,00 $0,00
Tipo de memoria NOR Flash, Parallel NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
Organización de memoria 256K x 8-bit / 128K x 16-bit —
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Access Time 55 ns 55 ns
Number of Words 128 K 128 k
Bits per Word 16 bits 16 bits
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Program/Erase Embedded byte/word program algorithms —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40C to +125C
Encapsulado 48-pin TSOP 48-TSOP I
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Interfaz Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus Parallel
Packaging Tape & Reel (TR suffix) Tray
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Nivel MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Memory Organization — 256K x 8 / 128K x 16
Tensión de alimentación — 5 V
Boot Block — Top boot block
Program / Erase — Embedded program/erase controller
Bus Mode — Byte (x8) / Word (x16) selectable

Hojas de datos y recursos

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