M29F800FB55N3F2 vs M29F160FB55N3F2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29F800FB55N3F2 von Micron Technology und M29F160FB55N3F2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ Aktiv
Micron Technology
M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 Obsolete

Spezifikationsvergleich

Parameter M29F800FB55N3F2 M29F160FB55N3F2
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Obsolete
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,47 $5,60
Memory Density 8389 kbits (8 Mbit) —
Speicherorganisation 1M x 8 / 512K x 16 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits
Versorgungsspannung 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
Schnittstellentyp Parallel NOR —
Boot Block Architecture Bottom Boot Block Bottom Boot Block
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms Embedded byte/word program algorithms
Betriebstemperatur -40C to +125C -40 to +125 C
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Package Type 48-pin TSOP1 48-TSOP
Package Shape Rectangular (JESD designation TSOP1) —
Terminal Count 48 —
JESD-609 Termination Code e3 (lead-free) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
RoHS-Status Compliant (lead-free terminations) Compliant (lead-free)
Speichertyp — Parallel NOR Flash
Density — 16777 kbits (16 Mbit)
Number of Words — 1000 k
Bits per Word — 16 bits
Schnittstelle — Parallel
Termination Finish — Lead-free (F2 suffix)
Block Protection — Hardware boot block protection
Speed Grade (from MPN) — 55 (55 ns)

Datenblätter & Ressourcen

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