M29F800FB55N3F2 vs M29F160FB55N3F2 Comparación
Comparación detallada lado a lado de M29F800FB55N3F2 por Micron Technology y M29F160FB55N3F2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FB55N3F2 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | M29F800FB55N3F2 | M29F160FB55N3F2 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Obsolete |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,47 | $5,60 |
| Memory Density | 8389 kbits (8 Mbit) | — |
| Organización de memoria | 1M x 8 / 512K x 16 | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits |
| Tensión de alimentación | 5 V | 5 V |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Tipo de interfaz | Parallel NOR | — |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block | Bottom Boot Block |
| Program/Erase Controller | Embedded byte/word program algorithms | Embedded byte/word program algorithms |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +125C | -40 to +125 C |
| Temperature Grade | Automotive (AEC-Q100) | — |
| Package Type | 48-pin TSOP1 | 48-TSOP |
| Package Shape | Rectangular (JESD designation TSOP1) | — |
| Terminal Count | 48 | — |
| JESD-609 Termination Code | e3 (lead-free) | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| Estado RoHS | Compliant (lead-free terminations) | Compliant (lead-free) |
| Tipo de memoria | — | Parallel NOR Flash |
| Density | — | 16777 kbits (16 Mbit) |
| Number of Words | — | 1000 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Interfaz | — | Parallel |
| Termination Finish | — | Lead-free (F2 suffix) |
| Block Protection | — | Hardware boot block protection |
| Speed Grade (from MPN) | — | 55 (55 ns) |