M29F800FB55N3F2 vs M29F160FB55N3F2 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29F800FB55N3F2 제조: Micron Technology 및 M29F160FB55N3F2 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ 활성
Micron Technology
M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 Obsolete

사양 비교

파라미터 M29F800FB55N3F2 M29F160FB55N3F2
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 Obsolete
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.47 $5.60
Memory Density 8389 kbits (8 Mbit) —
메모리 구성 1M x 8 / 512K x 16 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits
공급 전압 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
인터페이스 유형 Parallel NOR —
Boot Block Architecture Bottom Boot Block Bottom Boot Block
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms Embedded byte/word program algorithms
동작 온도 -40C to +125C -40 to +125 C
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Package Type 48-pin TSOP1 48-TSOP
Package Shape Rectangular (JESD designation TSOP1) —
Terminal Count 48 —
JESD-609 Termination Code e3 (lead-free) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
RoHS 상태 Compliant (lead-free terminations) Compliant (lead-free)
메모리 유형 — Parallel NOR Flash
Density — 16777 kbits (16 Mbit)
Number of Words — 1000 k
Bits per Word — 16 bits
인터페이스 — Parallel
Termination Finish — Lead-free (F2 suffix)
Block Protection — Hardware boot block protection
Speed Grade (from MPN) — 55 (55 ns)

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