M29F800FB55N3F2 vs M29F160FB55N3F2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29F800FB55N3F2 от Micron Technology и M29F160FB55N3F2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ Активен
Micron Technology
M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 Obsolete

Сравнение характеристик

Параметр M29F800FB55N3F2 M29F160FB55N3F2
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Obsolete
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,47 $5,60
Memory Density 8389 kbits (8 Mbit) —
Организация памяти 1M x 8 / 512K x 16 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits
Напряжение питания 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
Тип интерфейса Parallel NOR —
Boot Block Architecture Bottom Boot Block Bottom Boot Block
Program/Erase Controller Embedded byte/word program algorithms Embedded byte/word program algorithms
Рабочая температура -40C to +125C -40 to +125 C
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Package Type 48-pin TSOP1 48-TSOP
Package Shape Rectangular (JESD designation TSOP1) —
Terminal Count 48 —
JESD-609 Termination Code e3 (lead-free) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Статус RoHS Compliant (lead-free terminations) Compliant (lead-free)
Тип памяти — Parallel NOR Flash
Density — 16777 kbits (16 Mbit)
Number of Words — 1000 k
Bits per Word — 16 bits
Интерфейс — Parallel
Termination Finish — Lead-free (F2 suffix)
Block Protection — Hardware boot block protection
Speed Grade (from MPN) — 55 (55 ns)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену