M29F800FT55N3E2 vs M29F400FT55M3E2 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29F800FT55N3E2 von Micron Technology und M29F400FT55M3E2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron
M29F400FT55M3E2 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | M29F800FT55N3E2 | M29F400FT55M3E2 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $4,98 | $1,98 |
| Speichertyp | NOR Flash | NOR Flash |
| Memory Organization | 512K x 16 (8 Mbit) | — |
| Density | 8389 kbits | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Versorgungsspannung | 5 V | 5 V |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | — |
| Betriebstemperatur | -40C to +125C | -40 C to +125 C |
| Gehäuse | 48-TSOP I | 44-SO (SOP-44) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Word/Byte Configuration | BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) | — |
| Hardware Reset / Power-Down | RP# pin | — |
| Embedded Program/Erase Controller | Yes (byte/word program, block erase) | — |
| Program/Erase Endurance | 100,000 cycles per block (typical for family) | — |
| Data Retention | >20 years (typical for family) | — |
| Ready/Busy Output | Yes | — |
| RoHS-Status | Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) | Compliant |
| Speichergröße | — | 4 Mbit (4194 kbits) |
| Speicherorganisation | — | 512K x 8 / 256K x 16 |
| Number of Words | — | 256 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Programming | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Erase | — | Embedded program/erase controller, block erase |
| Boot Block | — | Top boot block |
| Packaging | — | Tray |