M29F800FT55N3E2 vs M29F400FT55M3E2 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de M29F800FT55N3E2 por Micron Technology e M29F400FT55M3E2 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Micron Technology
M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron
M29F400FT55M3E2 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | M29F800FT55N3E2 | M29F400FT55M3E2 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $4,98 | $1,98 |
| Tipo de memória | NOR Flash | NOR Flash |
| Memory Organization | 512K x 16 (8 Mbit) | — |
| Density | 8389 kbits | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Tensão de alimentação | 5 V | 5 V |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | — |
| Temperatura de operação | -40C to +125C | -40 C to +125 C |
| Encapsulamento | 48-TSOP I | 44-SO (SOP-44) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Word/Byte Configuration | BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) | — |
| Hardware Reset / Power-Down | RP# pin | — |
| Embedded Program/Erase Controller | Yes (byte/word program, block erase) | — |
| Program/Erase Endurance | 100,000 cycles per block (typical for family) | — |
| Data Retention | >20 years (typical for family) | — |
| Ready/Busy Output | Yes | — |
| Status RoHS | Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) | Compliant |
| Tamanho da memória | — | 4 Mbit (4194 kbits) |
| Organização da memória | — | 512K x 8 / 256K x 16 |
| Number of Words | — | 256 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Programming | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Erase | — | Embedded program/erase controller, block erase |
| Boot Block | — | Top boot block |
| Packaging | — | Tray |