M29F800FT55N3E2 vs M29F400FT55M3E2 比較

詳細な並列比較: M29F800FT55N3E2 メーカー: Micron Technology および M29F400FT55M3E2 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29F800FT55N3E2 M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55N3E2 ✓ 生産中
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M29F400FT55M3E2 M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F400FT55M3E2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29F800FT55N3E2 M29F400FT55M3E2
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $4.98 $1.98
メモリタイプ NOR Flash NOR Flash
Memory Organization 512K x 16 (8 Mbit) —
Density 8389 kbits —
Access Time 55 ns 55 ns
電源電圧 5 V 5 V
インターフェース Parallel Parallel
Boot Block Architecture Top Boot Block —
動作温度 -40C to +125C -40 C to +125 C
パッケージ 48-TSOP I 44-SO (SOP-44)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Word/Byte Configuration BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) —
Hardware Reset / Power-Down RP# pin —
Embedded Program/Erase Controller Yes (byte/word program, block erase) —
Program/Erase Endurance 100,000 cycles per block (typical for family) —
Data Retention >20 years (typical for family) —
Ready/Busy Output Yes —
RoHS ステータス Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) Compliant
メモリサイズ — 4 Mbit (4194 kbits)
メモリ構成 — 512K x 8 / 256K x 16
Number of Words — 256 k
Bits per Word — 16 bits
Programming — Embedded byte/word program algorithms
Erase — Embedded program/erase controller, block erase
Boot Block — Top boot block
Packaging — Tray

データシート&リソース

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