M29F800FT55N3E2 vs M29F400FT55M3E2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29F800FT55N3E2 par Micron Technology et M29F400FT55M3E2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron
M29F400FT55M3E2 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | M29F800FT55N3E2 | M29F400FT55M3E2 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,98 | $1,98 |
| Type de mémoire | NOR Flash | NOR Flash |
| Memory Organization | 512K x 16 (8 Mbit) | — |
| Density | 8389 kbits | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Tension d'alimentation | 5 V | 5 V |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40 C to +125 C |
| Boîtier | 48-TSOP I | 44-SO (SOP-44) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Word/Byte Configuration | BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) | — |
| Hardware Reset / Power-Down | RP# pin | — |
| Embedded Program/Erase Controller | Yes (byte/word program, block erase) | — |
| Program/Erase Endurance | 100,000 cycles per block (typical for family) | — |
| Data Retention | >20 years (typical for family) | — |
| Ready/Busy Output | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) | Compliant |
| Taille de mémoire | — | 4 Mbit (4194 kbits) |
| Organisation de la mémoire | — | 512K x 8 / 256K x 16 |
| Number of Words | — | 256 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Programming | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Erase | — | Embedded program/erase controller, block erase |
| Boot Block | — | Top boot block |
| Packaging | — | Tray |