M29F800FT55N3E2 vs M29F400FT55M3E2 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29F800FT55N3E2 от Micron Technology и M29F400FT55M3E2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29F800FT55N3E2 - 8Mb 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FT55N3E2 ✓ АктивенMicron Technology
M29F400FT55M3E2 - 4Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron
M29F400FT55M3E2 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | M29F800FT55N3E2 | M29F400FT55M3E2 |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $4,98 | $1,98 |
| Тип памяти | NOR Flash | NOR Flash |
| Memory Organization | 512K x 16 (8 Mbit) | — |
| Density | 8389 kbits | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Напряжение питания | 5 V | 5 V |
| Интерфейс | Parallel | Parallel |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | — |
| Рабочая температура | -40C to +125C | -40 C to +125 C |
| Корпус | 48-TSOP I | 44-SO (SOP-44) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Word/Byte Configuration | BYTE# pin selectable (16-bit / 8-bit) | — |
| Hardware Reset / Power-Down | RP# pin | — |
| Embedded Program/Erase Controller | Yes (byte/word program, block erase) | — |
| Program/Erase Endurance | 100,000 cycles per block (typical for family) | — |
| Data Retention | >20 years (typical for family) | — |
| Ready/Busy Output | Yes | — |
| Статус RoHS | Compliant (E suffix = lead-free/RoHS) | Compliant |
| Размер памяти | — | 4 Mbit (4194 kbits) |
| Организация памяти | — | 512K x 8 / 256K x 16 |
| Number of Words | — | 256 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Programming | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Erase | — | Embedded program/erase controller, block erase |
| Boot Block | — | Top boot block |
| Packaging | — | Tray |