M29W160EB70N3E vs M29F160FB55N3F2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29W160EB70N3E von Micron Technology und M29F160FB55N3F2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ Aktiv
Micron Technology
M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 Obsolete

Spezifikationsvergleich

Parameter M29W160EB70N3E M29F160FB55N3F2
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Obsolete
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,76 $5,60
Speichertyp FLASH - NOR Parallel NOR Flash
Speichergröße 16 Mbit (2M x8, 1M x16) —
Speicherorganisation 2M x8 / 1M x16 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits
Access Time 70 ns 55 ns
Schnittstelle Parallel Parallel
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Programming Time 10 us (typical) —
Cell Type SLC NOR —
Betriebstemperatur -40C to +125C -40 to +125 C
Gehäuse / Bauform 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Speed Grade -70 —
FBGA Code N/A (TSOP package) —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free)
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 16777 kbits (16 Mbit)
Number of Words — 1000 k
Bits per Word — 16 bits
Versorgungsspannung — 5 V
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Package Type — 48-TSOP
Termination Finish — Lead-free (F2 suffix)
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Block Protection — Hardware boot block protection
Speed Grade (from MPN) — 55 (55 ns)

Datenblätter & Ressourcen

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