M29W160EB70N3E vs M29F160FB55N3F2 비교

다음의 상세 나란히 비교: M29W160EB70N3E 제조: Micron Technology 및 M29F160FB55N3F2 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ 활성
Micron Technology
M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 Obsolete

사양 비교

파라미터 M29W160EB70N3E M29F160FB55N3F2
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 Obsolete
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.76 $5.60
메모리 유형 FLASH - NOR Parallel NOR Flash
메모리 크기 16 Mbit (2M x8, 1M x16) —
메모리 구성 2M x8 / 1M x16 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits
Access Time 70 ns 55 ns
인터페이스 Parallel Parallel
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Programming Time 10 us (typical) —
Cell Type SLC NOR —
동작 온도 -40C to +125C -40 to +125 C
패키지 / 케이스 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Speed Grade -70 —
FBGA Code N/A (TSOP package) —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free)
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 16777 kbits (16 Mbit)
Number of Words — 1000 k
Bits per Word — 16 bits
공급 전압 — 5 V
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Package Type — 48-TSOP
Termination Finish — Lead-free (F2 suffix)
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Block Protection — Hardware boot block protection
Speed Grade (from MPN) — 55 (55 ns)

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