M29W160EB70N3E vs M29F160FB55N3F2 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de M29W160EB70N3E por Micron Technology e M29F160FB55N3F2 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
M29W160EB70N3E M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E - 16Mbit NOR Flash 70ns 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3E ✓ Ativo
Micron Technology
M29F160FB55N3F2 M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 - 16Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F160FB55N3F2 Obsolete

Comparação de especificações

Parâmetro M29W160EB70N3E M29F160FB55N3F2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Obsolete
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,76 $5,60
Tipo de memória FLASH - NOR Parallel NOR Flash
Tamanho da memória 16 Mbit (2M x8, 1M x16) —
Organização da memória 2M x8 / 1M x16 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits
Access Time 70 ns 55 ns
Interface Parallel Parallel
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Programming Time 10 us (typical) —
Cell Type SLC NOR —
Temperatura de operação -40C to +125C -40 to +125 C
Encapsulamento / Caixa 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Speed Grade -70 —
FBGA Code N/A (TSOP package) —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (lead-free)
Nível MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 16777 kbits (16 Mbit)
Number of Words — 1000 k
Bits per Word — 16 bits
Tensão de alimentação — 5 V
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Package Type — 48-TSOP
Termination Finish — Lead-free (F2 suffix)
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Block Protection — Hardware boot block protection
Speed Grade (from MPN) — 55 (55 ns)

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação