M29W160EB70N3E vs M29F160FB55N3F2 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W160EB70N3E par Micron Technology et M29F160FB55N3F2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W160EB70N3E | M29F160FB55N3F2 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Obsolete |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,76 | $5,60 |
| Type de mémoire | FLASH - NOR | Parallel NOR Flash |
| Taille de mémoire | 16 Mbit (2M x8, 1M x16) | — |
| Organisation de la mémoire | 2M x8 / 1M x16 | 1 Mword x 16 bits / 2 Mbyte x 8 bits |
| Access Time | 70 ns | 55 ns |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Programming Time | 10 us (typical) | — |
| Cell Type | SLC NOR | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40 to +125 C |
| Boîtier / Format | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Speed Grade | -70 | — |
| FBGA Code | N/A (TSOP package) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (lead-free) |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Density | — | 16777 kbits (16 Mbit) |
| Number of Words | — | 1000 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Tension d'alimentation | — | 5 V |
| Boot Block Architecture | — | Bottom Boot Block |
| Package Type | — | 48-TSOP |
| Termination Finish | — | Lead-free (F2 suffix) |
| Program/Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Block Protection | — | Hardware boot block protection |
| Speed Grade (from MPN) | — | 55 (55 ns) |