M29W160ET70N3F vs M29W160EB70N3F Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29W160ET70N3F von Micron Technology und M29W160EB70N3F von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | M29W160ET70N3F | M29W160EB70N3F |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,80 | $1,01 |
| Speichertyp | Parallel NOR Flash | FLASH - NOR |
| Speichergröße | 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16) | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Versorgungsspannung | 3 V / 3.3 V | — |
| Technology | CMOS | — |
| Boot Block Architecture | Top boot | — |
| Bus Configuration | x8 / x16 selectable | x8 / x16 selectable (BYTE# pin) |
| Gehäuse | 48-pin TSOP | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Automotive (AEC-Q100) | — |
| Qualification | AEC-Q100 qualified | Automotive, AEC-Q100 |
| Packaging | Tape and Reel | Tape & Reel |
| RoHS-Status | RoHS-compliant package (F option) | — |
| Programming Interface | Parallel command set | — |
| Number of Terminals | 48 | — |
| Schnittstelle | — | Parallel (Byte/Word-wide) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word (typical) |
| Boot Block Position | — | Bottom boot block |
| Gehäuse / Bauform | — | 48-TSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Erase Architecture | — | Block erase (boot block + main blocks) |
| Common Flash Interface | — | Yes (CFI compliant) |
| Reset Input | — | RESET# hardware reset pin |
| Betriebstemperatur | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |