M29W160ET70N3F vs M29W160EB70N3F Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W160ET70N3F par Micron Technology et M29W160EB70N3F par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W160ET70N3F | M29W160EB70N3F |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,80 | $1,01 |
| Type de mémoire | Parallel NOR Flash | FLASH - NOR |
| Taille de mémoire | 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16) | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Tension d'alimentation | 3 V / 3.3 V | — |
| Technology | CMOS | — |
| Boot Block Architecture | Top boot | — |
| Bus Configuration | x8 / x16 selectable | x8 / x16 selectable (BYTE# pin) |
| Boîtier | 48-pin TSOP | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Automotive (AEC-Q100) | — |
| Qualification | AEC-Q100 qualified | Automotive, AEC-Q100 |
| Packaging | Tape and Reel | Tape & Reel |
| Statut RoHS | RoHS-compliant package (F option) | — |
| Programming Interface | Parallel command set | — |
| Number of Terminals | 48 | — |
| Interface | — | Parallel (Byte/Word-wide) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word (typical) |
| Boot Block Position | — | Bottom boot block |
| Boîtier / Format | — | 48-TSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Erase Architecture | — | Block erase (boot block + main blocks) |
| Common Flash Interface | — | Yes (CFI compliant) |
| Reset Input | — | RESET# hardware reset pin |
| Température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |