M29W160ET70N3F vs M29W160EB70N3F Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29W160ET70N3F от Micron Technology и M29W160EB70N3F от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ Активен
Micron Technology
M29W160EB70N3F M29W160EB70N3F - 16Mbit NOR Flash, 70ns, 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3F - 16Mbit NOR Flash, 70ns, 48-TSOP | Micron

M29W160EB70N3F ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29W160ET70N3F M29W160EB70N3F
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,80 $1,01
Тип памяти Parallel NOR Flash FLASH - NOR
Размер памяти 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16) 16 Mbit (2M x8 / 1M x16)
Access Time 70 ns 70 ns
Напряжение питания 3 V / 3.3 V —
Technology CMOS —
Boot Block Architecture Top boot —
Bus Configuration x8 / x16 selectable x8 / x16 selectable (BYTE# pin)
Корпус 48-pin TSOP —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Qualification AEC-Q100 qualified Automotive, AEC-Q100
Packaging Tape and Reel Tape & Reel
Статус RoHS RoHS-compliant package (F option) —
Programming Interface Parallel command set —
Number of Terminals 48 —
Интерфейс — Parallel (Byte/Word-wide)
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
Boot Block Position — Bottom boot block
Корпус / Типоразмер — 48-TSOP (0.724 in, 18.40 mm width)
Erase Architecture — Block erase (boot block + main blocks)
Common Flash Interface — Yes (CFI compliant)
Reset Input — RESET# hardware reset pin
Рабочая температура — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Уровень MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену