M29W160ET70N3F vs M29W160EB70N3F 비교
다음의 상세 나란히 비교: M29W160ET70N3F 제조: Micron Technology 및 M29W160EB70N3F 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | M29W160ET70N3F | M29W160EB70N3F |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.80 | $1.01 |
| 메모리 유형 | Parallel NOR Flash | FLASH - NOR |
| 메모리 크기 | 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16) | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| 공급 전압 | 3 V / 3.3 V | — |
| Technology | CMOS | — |
| Boot Block Architecture | Top boot | — |
| Bus Configuration | x8 / x16 selectable | x8 / x16 selectable (BYTE# pin) |
| 패키지 | 48-pin TSOP | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Automotive (AEC-Q100) | — |
| Qualification | AEC-Q100 qualified | Automotive, AEC-Q100 |
| Packaging | Tape and Reel | Tape & Reel |
| RoHS 상태 | RoHS-compliant package (F option) | — |
| Programming Interface | Parallel command set | — |
| Number of Terminals | 48 | — |
| 인터페이스 | — | Parallel (Byte/Word-wide) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word (typical) |
| Boot Block Position | — | Bottom boot block |
| 패키지 / 케이스 | — | 48-TSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Erase Architecture | — | Block erase (boot block + main blocks) |
| Common Flash Interface | — | Yes (CFI compliant) |
| Reset Input | — | RESET# hardware reset pin |
| 동작 온도 | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |