M29W160ET70N3F vs M29W160EB70N3F Comparación
Comparación detallada lado a lado de M29W160ET70N3F por Micron Technology y M29W160EB70N3F por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | M29W160ET70N3F | M29W160EB70N3F |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,80 | $1,01 |
| Tipo de memoria | Parallel NOR Flash | FLASH - NOR |
| Tamaño de memoria | 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16) | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Tensión de alimentación | 3 V / 3.3 V | — |
| Technology | CMOS | — |
| Boot Block Architecture | Top boot | — |
| Bus Configuration | x8 / x16 selectable | x8 / x16 selectable (BYTE# pin) |
| Encapsulado | 48-pin TSOP | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Automotive (AEC-Q100) | — |
| Qualification | AEC-Q100 qualified | Automotive, AEC-Q100 |
| Packaging | Tape and Reel | Tape & Reel |
| Estado RoHS | RoHS-compliant package (F option) | — |
| Programming Interface | Parallel command set | — |
| Number of Terminals | 48 | — |
| Interfaz | — | Parallel (Byte/Word-wide) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Programming Time | — | 10 us per byte/word (typical) |
| Boot Block Position | — | Bottom boot block |
| Encapsulado / Carcasa | — | 48-TSOP (0.724 in, 18.40 mm width) |
| Erase Architecture | — | Block erase (boot block + main blocks) |
| Common Flash Interface | — | Yes (CFI compliant) |
| Reset Input | — | RESET# hardware reset pin |
| Temperatura de funcionamiento | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |