M29W256GH70N3E vs M29W128GL70N3E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29W256GH70N3E von Micron Technology und M29W128GL70N3E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | M29W256GH70N3E | M29W128GL70N3E |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Flash |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,60 | $8,65 |
| Speichertyp | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash (Parallel) |
| Density | 256 Mbit (32 MB) | 128 Mbit |
| Speicherorganisation | 32M x 8 / 16M x 16 | 16M x8 / 8M x16 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Versorgungsspannung | 3 V | 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class) |
| Schnittstelle | Parallel (asynchronous) | Parallel |
| Gehäuse | 56-TSOP | 56-pin TSOP |
| Betriebstemperatur | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Datenbusbreite | 8/16 bit (BYTE# selectable) | — |
| Programming Type | Command-set program/erase, block organized | — |
| Common Flash Interface | Yes (CFI) | — |
| Product Longevity Program | No (per family data) | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Boot Block Configuration | — | Bottom boot (GL suffix) |
| Packaging | — | Tray |
| Automotive Qualification | — | Automotive grade ordering code (N3E) |
| Bus Width Mode | — | Software-selectable x8/x16 (BYTE# pin) |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |