M29W256GH70N3E vs M29W128GL70N3E 比較

詳細な並列比較: M29W256GH70N3E メーカー: Micron Technology および M29W128GL70N3E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W256GH70N3E M29W256GH70N3E - 256Mb Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W256GH70N3E - 256Mb Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W256GH70N3E ✓ 生産中
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M29W128GL70N3E M29W128GL70N3E - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron

M29W128GL70N3E - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron

M29W128GL70N3E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W256GH70N3E M29W128GL70N3E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Flash
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $6.60 $8.65
メモリタイプ NOR Flash (Parallel) NOR Flash (Parallel)
Density 256 Mbit (32 MB) 128 Mbit
メモリ構成 32M x 8 / 16M x 16 16M x8 / 8M x16
Access Time 70 ns 70 ns
電源電圧 3 V 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class)
インターフェース Parallel (asynchronous) Parallel
パッケージ 56-TSOP 56-pin TSOP
動作温度 -40C to +125C -40C to +125C
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
データバス幅 8/16 bit (BYTE# selectable) —
Programming Type Command-set program/erase, block organized —
Common Flash Interface Yes (CFI) —
Product Longevity Program No (per family data) —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Boot Block Configuration — Bottom boot (GL suffix)
Packaging — Tray
Automotive Qualification — Automotive grade ordering code (N3E)
Bus Width Mode — Software-selectable x8/x16 (BYTE# pin)
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

データシート&リソース

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