M29W256GH70N3E vs M29W128GL70N3E Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29W256GH70N3E от Micron Technology и M29W128GL70N3E от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29W256GH70N3E M29W256GH70N3E - 256Mb Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W256GH70N3E - 256Mb Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W256GH70N3E ✓ Активен
Micron Technology
M29W128GL70N3E M29W128GL70N3E - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron

M29W128GL70N3E - 128Mb 3V NOR Flash 70ns TSOP-56 | Micron

M29W128GL70N3E ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29W256GH70N3E M29W128GL70N3E
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Flash
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $6,60 $8,65
Тип памяти NOR Flash (Parallel) NOR Flash (Parallel)
Density 256 Mbit (32 MB) 128 Mbit
Организация памяти 32M x 8 / 16M x 16 16M x8 / 8M x16
Access Time 70 ns 70 ns
Напряжение питания 3 V 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class)
Интерфейс Parallel (asynchronous) Parallel
Корпус 56-TSOP 56-pin TSOP
Рабочая температура -40C to +125C -40C to +125C
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Разрядность шины данных 8/16 bit (BYTE# selectable) —
Programming Type Command-set program/erase, block organized —
Common Flash Interface Yes (CFI) —
Product Longevity Program No (per family data) —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Boot Block Configuration — Bottom boot (GL suffix)
Packaging — Tray
Automotive Qualification — Automotive grade ordering code (N3E)
Bus Width Mode — Software-selectable x8/x16 (BYTE# pin)
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену