M29W256GH70N3E vs M29W128GL70N3E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W256GH70N3E par Micron Technology et M29W128GL70N3E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W256GH70N3E | M29W128GL70N3E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Flash |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,60 | $8,65 |
| Type de mémoire | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash (Parallel) |
| Density | 256 Mbit (32 MB) | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 32M x 8 / 16M x 16 | 16M x8 / 8M x16 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Tension d'alimentation | 3 V | 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class) |
| Interface | Parallel (asynchronous) | Parallel |
| Boîtier | 56-TSOP | 56-pin TSOP |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Largeur du bus de données | 8/16 bit (BYTE# selectable) | — |
| Programming Type | Command-set program/erase, block organized | — |
| Common Flash Interface | Yes (CFI) | — |
| Product Longevity Program | No (per family data) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Boot Block Configuration | — | Bottom boot (GL suffix) |
| Packaging | — | Tray |
| Automotive Qualification | — | Automotive grade ordering code (N3E) |
| Bus Width Mode | — | Software-selectable x8/x16 (BYTE# pin) |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |