M29W256GH70N3E vs M29W128GL70N3E Comparação
Comparação detalhada lado a lado de M29W256GH70N3E por Micron Technology e M29W128GL70N3E por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | M29W256GH70N3E | M29W128GL70N3E |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoria | Memory ICs | Flash |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,60 | $8,65 |
| Tipo de memória | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash (Parallel) |
| Density | 256 Mbit (32 MB) | 128 Mbit |
| Organização da memória | 32M x 8 / 16M x 16 | 16M x8 / 8M x16 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Tensão de alimentação | 3 V | 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class) |
| Interface | Parallel (asynchronous) | Parallel |
| Encapsulamento | 56-TSOP | 56-pin TSOP |
| Temperatura de operação | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Largura do barramento de dados | 8/16 bit (BYTE# selectable) | — |
| Programming Type | Command-set program/erase, block organized | — |
| Common Flash Interface | Yes (CFI) | — |
| Product Longevity Program | No (per family data) | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Boot Block Configuration | — | Bottom boot (GL suffix) |
| Packaging | — | Tray |
| Automotive Qualification | — | Automotive grade ordering code (N3E) |
| Bus Width Mode | — | Software-selectable x8/x16 (BYTE# pin) |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |