MMBF170LT1 vs BSS138LT1G Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MMBF170LT1 von onsemi und BSS138LT1G von onsemi. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter MMBF170LT1 BSS138LT1G
Marke onsemi onsemi
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,09 $0,08
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) —
Part Number MMBF170LT1 —
Transistortyp N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDSS) 60 V —
Drain-Gate Voltage (VDGS) 60 Vdc —
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) ±20 Vdc (per datasheet) —
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) ±40 Vpk (tp <= 50 ms) —
Continuous Drain Current (ID) 500 mA (Ta) 200 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
Total Device Dissipation (PD) 225 mW (Ta, FR-5 board) —
Betriebstemperaturbereich -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet) —
Gehäuse / Bauform SOT-23-3 (TO-236) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 3 —
RoHS-Status Compliant (per onsemi product page) Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom)
AEC-Q101 Qualified Yes (per datasheet) —
Technology DMOS —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) — 50 V
Power Dissipation (PD) — 225 mW (Ta)
On-Resistance Max (RDS(on)) — 3.5 ohm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate-Source Voltage Max (VGS) — [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage]
Configuration — Single FET
Channel Mode — Enhancement Mode
Gehäuse — SOT-23-3 (TO-236)
Betriebstemperatur — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Product Family — BSS138LT Series Small Signal MOSFET
Typical Applications — Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters

Datenblätter & Ressourcen

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