MMBF170LT1 vs BSS138LT1G 比較

詳細な並列比較: MMBF170LT1 メーカー: onsemi および BSS138LT1G メーカー: onsemi。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ MMBF170LT1 BSS138LT1G
ブランド onsemi onsemi
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.09 $0.08
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) —
Part Number MMBF170LT1 —
トランジスタタイプ N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDSS) 60 V —
Drain-Gate Voltage (VDGS) 60 Vdc —
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) ±20 Vdc (per datasheet) —
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) ±40 Vpk (tp <= 50 ms) —
Continuous Drain Current (ID) 500 mA (Ta) 200 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
Total Device Dissipation (PD) 225 mW (Ta, FR-5 board) —
動作温度範囲 -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet) —
パッケージ / ケース SOT-23-3 (TO-236) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
ピン数 3 —
RoHS ステータス Compliant (per onsemi product page) Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom)
AEC-Q101 Qualified Yes (per datasheet) —
Technology DMOS —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) — 50 V
Power Dissipation (PD) — 225 mW (Ta)
On-Resistance Max (RDS(on)) — 3.5 ohm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate-Source Voltage Max (VGS) — [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage]
Configuration — Single FET
Channel Mode — Enhancement Mode
パッケージ — SOT-23-3 (TO-236)
動作温度 — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Product Family — BSS138LT Series Small Signal MOSFET
Typical Applications — Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters

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