MMBF170LT1 vs BSS138LT1G Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MMBF170LT1 por onsemi e BSS138LT1G por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro MMBF170LT1 BSS138LT1G
Marca onsemi onsemi
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,09 $0,08
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) —
Part Number MMBF170LT1 —
Tipo de transistor N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDSS) 60 V —
Drain-Gate Voltage (VDGS) 60 Vdc —
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) ±20 Vdc (per datasheet) —
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) ±40 Vpk (tp <= 50 ms) —
Continuous Drain Current (ID) 500 mA (Ta) 200 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
Total Device Dissipation (PD) 225 mW (Ta, FR-5 board) —
Faixa de temperatura de operação -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet) —
Encapsulamento / Caixa SOT-23-3 (TO-236) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 3 —
Status RoHS Compliant (per onsemi product page) Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom)
AEC-Q101 Qualified Yes (per datasheet) —
Technology DMOS —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) — 50 V
Power Dissipation (PD) — 225 mW (Ta)
On-Resistance Max (RDS(on)) — 3.5 ohm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate-Source Voltage Max (VGS) — [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage]
Configuration — Single FET
Channel Mode — Enhancement Mode
Encapsulamento — SOT-23-3 (TO-236)
Temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Product Family — BSS138LT Series Small Signal MOSFET
Typical Applications — Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters

Fichas técnicas e recursos

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