MMBF170LT1 vs BSS138LT1G 비교
다음의 상세 나란히 비교: MMBF170LT1 제조: onsemi 및 BSS138LT1G 제조: onsemi. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MMBF170LT1 | BSS138LT1G |
|---|---|---|
| 브랜드 | onsemi | onsemi |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.09 | $0.08 |
| Manufacturer | onsemi (ON Semiconductor) | — |
| Part Number | MMBF170LT1 | — |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET, Enhancement Mode | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | 60 V | — |
| Drain-Gate Voltage (VDGS) | 60 Vdc | — |
| Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) | ±20 Vdc (per datasheet) | — |
| Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) | ±40 Vpk (tp <= 50 ms) | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 500 mA (Ta) | 200 mA (Ta) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] | — |
| Total Device Dissipation (PD) | 225 mW (Ta, FR-5 board) | — |
| 동작 온도 범위 | -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet) | — |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-3 (TO-236) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 3 | — |
| RoHS 상태 | Compliant (per onsemi product page) | Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom) |
| AEC-Q101 Qualified | Yes (per datasheet) | — |
| Technology | DMOS | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 50 V |
| Power Dissipation (PD) | — | 225 mW (Ta) |
| On-Resistance Max (RDS(on)) | — | 3.5 ohm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate-Source Voltage Max (VGS) | — | [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage] |
| Configuration | — | Single FET |
| Channel Mode | — | Enhancement Mode |
| 패키지 | — | SOT-23-3 (TO-236) |
| 동작 온도 | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Product Family | — | BSS138LT Series Small Signal MOSFET |
| Typical Applications | — | Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters |