MMBF170LT1 vs BSS138LT1G Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MMBF170LT1 par onsemi et BSS138LT1G par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre MMBF170LT1 BSS138LT1G
Marque onsemi onsemi
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,09 $0,08
Manufacturer onsemi (ON Semiconductor) —
Part Number MMBF170LT1 —
Type de transistor N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDSS) 60 V —
Drain-Gate Voltage (VDGS) 60 Vdc —
Gate-Source Voltage - Continuous (VGS) ±20 Vdc (per datasheet) —
Gate-Source Voltage - Non-repetitive (VGSM) ±40 Vpk (tp <= 50 ms) —
Continuous Drain Current (ID) 500 mA (Ta) 200 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulsed value] —
Total Device Dissipation (PD) 225 mW (Ta, FR-5 board) —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C (TJ max per datasheet) —
Boîtier / Format SOT-23-3 (TO-236) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 —
Statut RoHS Compliant (per onsemi product page) Compliant (RoHS Compliant and Pb-free per Easybom)
AEC-Q101 Qualified Yes (per datasheet) —
Technology DMOS —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) — 50 V
Power Dissipation (PD) — 225 mW (Ta)
On-Resistance Max (RDS(on)) — 3.5 ohm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Gate-Source Voltage Max (VGS) — [DATA_NEEDED: maximum gate-source voltage]
Configuration — Single FET
Channel Mode — Enhancement Mode
Boîtier — SOT-23-3 (TO-236)
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Product Family — BSS138LT Series Small Signal MOSFET
Typical Applications — Computers, printers, cordless phones, DC-DC converters

Fiches techniques et ressources

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