MMBT3904-AQ vs MMBT3904-7-F Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MMBT3904-AQ von Diotec Semiconductor und MMBT3904-7-F von Diodes Incorporated. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Diotec Semiconductor
MMBT3904-AQ MMBT3904-AQ - 40V NPN BJT, 200mA, SOT-23, AEC-Q101 | Diotec

MMBT3904-AQ - 40V NPN BJT, 200mA, SOT-23, AEC-Q101 | Diotec

MMBT3904-AQ ✓ Aktiv
Diodes Incorporated
MMBT3904-7-F MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc

MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc

MMBT3904-7-F ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MMBT3904-AQ MMBT3904-7-F
Marke Diotec Semiconductor Diodes Incorporated
Kategorie Transistors Transistors
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,07 $0,04
Transistortyp NPN NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
Gehäuse SOT-23-3 (TO-236) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) 40 V 40 V
Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo) 60 V 40 V
Emitter-Basis-Spannung (Vebo) 6 V 6 V
Continuous Collector Current (IC) 200 mA 200 mA
Power Dissipation (Pd) 350 mW —
Übergangsfrequenz (ft) 300 MHz (at VCE=20V, IC=10mA) 300 MHz minimum
DC Current Gain (hFE) 100 to 300 100 to 300 @ IC=10 mA, VCE=1 V
Betriebstemperatur -55C to +150C —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS-Status Compliant —
Pin Configuration Pin 1: Base, Pin 2: Emitter, Pin 3: Collector —
Die Construction Epitaxial planar Epitaxial Planar
Power Dissipation (PD) — 300 mW
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(sat)) — 200 mV typical @ IC=10 mA
Betriebstemperaturbereich — -55 C to +150 C
Gehäuse / Bauform — SOT-23-3
Complementary PNP Type — MMBT3906-7-F
RoHS Compliance — Yes (Lead-Free, Halogen-Free, Antimony-Free)

Datenblätter & Ressourcen

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