MMBT3904-AQ vs MMBT3904-7-F Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MMBT3904-AQ por Diotec Semiconductor e MMBT3904-7-F por Diodes Incorporated. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Diotec Semiconductor
MMBT3904-AQ MMBT3904-AQ - 40V NPN BJT, 200mA, SOT-23, AEC-Q101 | Diotec

MMBT3904-AQ - 40V NPN BJT, 200mA, SOT-23, AEC-Q101 | Diotec

MMBT3904-AQ ✓ Ativo
Diodes Incorporated
MMBT3904-7-F MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc

MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc

MMBT3904-7-F ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MMBT3904-AQ MMBT3904-7-F
Marca Diotec Semiconductor Diodes Incorporated
Categoria Transistors Transistors
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,07 $0,04
Tipo de transistor NPN NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
Encapsulamento SOT-23-3 (TO-236) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Tensão coletor-emissor (Vceo) 40 V 40 V
Tensão coletor-base (Vcbo) 60 V 40 V
Tensão emissor-base (Vebo) 6 V 6 V
Continuous Collector Current (IC) 200 mA 200 mA
Power Dissipation (Pd) 350 mW —
Frequência de transição (ft) 300 MHz (at VCE=20V, IC=10mA) 300 MHz minimum
DC Current Gain (hFE) 100 to 300 100 to 300 @ IC=10 mA, VCE=1 V
Temperatura de operação -55C to +150C —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Status RoHS Compliant —
Pin Configuration Pin 1: Base, Pin 2: Emitter, Pin 3: Collector —
Die Construction Epitaxial planar Epitaxial Planar
Power Dissipation (PD) — 300 mW
Tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) — 200 mV typical @ IC=10 mA
Faixa de temperatura de operação — -55 C to +150 C
Encapsulamento / Caixa — SOT-23-3
Complementary PNP Type — MMBT3906-7-F
RoHS Compliance — Yes (Lead-Free, Halogen-Free, Antimony-Free)

Fichas técnicas e recursos

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