MMBT3904-AQ vs MMBT3904-7-F 对比

详细并排对比 MMBT3904-AQ 出自 Diotec Semiconductor 和 MMBT3904-7-F 出自 Diodes Incorporated。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Diotec Semiconductor
MMBT3904-AQ MMBT3904-AQ - 40V NPN BJT, 200mA, SOT-23, AEC-Q101 | Diotec

MMBT3904-AQ - 40V NPN BJT, 200mA, SOT-23, AEC-Q101 | Diotec

MMBT3904-AQ ✓ 量产中
Diodes Incorporated
MMBT3904-7-F MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc

MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc

MMBT3904-7-F ✓ 量产中

规格对比

参数 MMBT3904-AQ MMBT3904-7-F
品牌 Diotec Semiconductor Diodes Incorporated
分类 Transistors Transistors
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $0.07 $0.04
晶体管类型 NPN NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
封装 SOT-23-3 (TO-236) —
安装类型 Surface Mount Surface Mount
集电极-发射极电压(Vceo) 40 V 40 V
集电极-基极电压(Vcbo) 60 V 40 V
发射极-基极电压(Vebo) 6 V 6 V
Continuous Collector Current (IC) 200 mA 200 mA
Power Dissipation (Pd) 350 mW —
过渡频率(ft) 300 MHz (at VCE=20V, IC=10mA) 300 MHz minimum
DC Current Gain (hFE) 100 to 300 100 to 300 @ IC=10 mA, VCE=1 V
工作温度 -55C to +150C —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS 状态 Compliant —
Pin Configuration Pin 1: Base, Pin 2: Emitter, Pin 3: Collector —
Die Construction Epitaxial planar Epitaxial Planar
Power Dissipation (PD) — 300 mW
集电极-发射极饱和电压(Vce(sat)) — 200 mV typical @ IC=10 mA
工作温度范围 — -55 C to +150 C
封装 / 外壳 — SOT-23-3
Complementary PNP Type — MMBT3906-7-F
RoHS Compliance — Yes (Lead-Free, Halogen-Free, Antimony-Free)

数据手册与资源

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