MMBT3904-AQ vs MMBT3904-7-F Сравнение

Подробное сравнение бок о бок MMBT3904-AQ от Diotec Semiconductor и MMBT3904-7-F от Diodes Incorporated. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Diotec Semiconductor
MMBT3904-AQ MMBT3904-AQ - 40V NPN BJT, 200mA, SOT-23, AEC-Q101 | Diotec

MMBT3904-AQ - 40V NPN BJT, 200mA, SOT-23, AEC-Q101 | Diotec

MMBT3904-AQ ✓ Активен
Diodes Incorporated
MMBT3904-7-F MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc

MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc

MMBT3904-7-F ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр MMBT3904-AQ MMBT3904-7-F
Бренд Diotec Semiconductor Diodes Incorporated
Категория Transistors Transistors
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $0,07 $0,04
Тип транзистора NPN NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
Корпус SOT-23-3 (TO-236) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Напряжение коллектор-эмиттер (Vceo) 40 V 40 V
Напряжение коллектор-база (Vcbo) 60 V 40 V
Напряжение эмиттер-база (Vebo) 6 V 6 V
Continuous Collector Current (IC) 200 mA 200 mA
Power Dissipation (Pd) 350 mW —
Граничная частота (ft) 300 MHz (at VCE=20V, IC=10mA) 300 MHz minimum
DC Current Gain (hFE) 100 to 300 100 to 300 @ IC=10 mA, VCE=1 V
Рабочая температура -55C to +150C —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
Статус RoHS Compliant —
Pin Configuration Pin 1: Base, Pin 2: Emitter, Pin 3: Collector —
Die Construction Epitaxial planar Epitaxial Planar
Power Dissipation (PD) — 300 mW
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Vce(sat)) — 200 mV typical @ IC=10 mA
Диапазон рабочих температур — -55 C to +150 C
Корпус / Типоразмер — SOT-23-3
Complementary PNP Type — MMBT3906-7-F
RoHS Compliance — Yes (Lead-Free, Halogen-Free, Antimony-Free)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену