MMBT3904-AQ vs MMBT3904-7-F 비교

다음의 상세 나란히 비교: MMBT3904-AQ 제조: Diotec Semiconductor 및 MMBT3904-7-F 제조: Diodes Incorporated. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Diotec Semiconductor
MMBT3904-AQ MMBT3904-AQ - 40V NPN BJT, 200mA, SOT-23, AEC-Q101 | Diotec

MMBT3904-AQ - 40V NPN BJT, 200mA, SOT-23, AEC-Q101 | Diotec

MMBT3904-AQ ✓ 활성
Diodes Incorporated
MMBT3904-7-F MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc

MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc

MMBT3904-7-F ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MMBT3904-AQ MMBT3904-7-F
브랜드 Diotec Semiconductor Diodes Incorporated
카테고리 Transistors Transistors
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.07 $0.04
트랜지스터 유형 NPN NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)
패키지 SOT-23-3 (TO-236) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
컬렉터-이미터 전압 (Vceo) 40 V 40 V
컬렉터-베이스 전압 (Vcbo) 60 V 40 V
이미터-베이스 전압 (Vebo) 6 V 6 V
Continuous Collector Current (IC) 200 mA 200 mA
Power Dissipation (Pd) 350 mW —
전이 주파수 (ft) 300 MHz (at VCE=20V, IC=10mA) 300 MHz minimum
DC Current Gain (hFE) 100 to 300 100 to 300 @ IC=10 mA, VCE=1 V
동작 온도 -55C to +150C —
Automotive Qualification AEC-Q101 —
RoHS 상태 Compliant —
Pin Configuration Pin 1: Base, Pin 2: Emitter, Pin 3: Collector —
Die Construction Epitaxial planar Epitaxial Planar
Power Dissipation (PD) — 300 mW
컬렉터-이미터 포화 전압 (Vce(sat)) — 200 mV typical @ IC=10 mA
동작 온도 범위 — -55 C to +150 C
패키지 / 케이스 — SOT-23-3
Complementary PNP Type — MMBT3906-7-F
RoHS Compliance — Yes (Lead-Free, Halogen-Free, Antimony-Free)

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