MMBT3904LT1 vs MMBT3904 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MMBT3904LT1 von onsemi und MMBT3904 von onsemi. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter MMBT3904LT1 MMBT3904
Marke onsemi onsemi
Kategorie Transistors Transistors
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,04 $0,04
Polarity NPN —
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) 40 V 40 V
Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo) 60 V 60 V
Emitter-Basis-Spannung (Vebo) 6 V 6 V
Continuous Collector Current (IC) 200 mA 200 mA
Power Dissipation (PD) 200 mW (on minimum recommended pad) 200 mW to 350 mW (board-dependent)
DC Current Gain (hFE) 100 to 300 100 to 300 (at IC=10 mA, VCE=1.0 V)
Übergangsfrequenz (ft) 300 MHz (min) 300 MHz (typ, at VCE=20 V, IC=10 mA)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(sat)) [DATA_NEEDED: exact VCE(sat) value at rated IC] —
Noise Figure 5 dB (max) 5 dB (max)
Betriebs-Sperrschichttemperatur -55 °C to +150 °C —
Gehäuse SOT-23 (TO-236), 3-pin SOT-23 (TO-236AB), 3 pins
Montageart Surface Mount Surface Mount
Die Construction Epitaxial Planar —
Complementary PNP Part MMBT3906 MMBT3906
RoHS-Status Compliant (Lead Free version available) —
AEC-Q101 Qualified Yes (S-prefix variant) —
Transistortyp — NPN
Betriebstemperaturbereich — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (fully RoHS compliant per datasheet)
Automotive Grade (AEC-Q101) — Qualified by selected suppliers

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern