MMBT3904LT1 vs MMBT3904 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MMBT3904LT1 por onsemi y MMBT3904 por onsemi. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro MMBT3904LT1 MMBT3904
Marca onsemi onsemi
Categoría Transistors Transistors
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,04 $0,04
Polarity NPN —
Tensión colector-emisor (Vceo) 40 V 40 V
Tensión colector-base (Vcbo) 60 V 60 V
Tensión emisor-base (Vebo) 6 V 6 V
Continuous Collector Current (IC) 200 mA 200 mA
Power Dissipation (PD) 200 mW (on minimum recommended pad) 200 mW to 350 mW (board-dependent)
DC Current Gain (hFE) 100 to 300 100 to 300 (at IC=10 mA, VCE=1.0 V)
Frecuencia de transición (ft) 300 MHz (min) 300 MHz (typ, at VCE=20 V, IC=10 mA)
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)) [DATA_NEEDED: exact VCE(sat) value at rated IC] —
Noise Figure 5 dB (max) 5 dB (max)
Temperatura de unión de funcionamiento -55 °C to +150 °C —
Encapsulado SOT-23 (TO-236), 3-pin SOT-23 (TO-236AB), 3 pins
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Die Construction Epitaxial Planar —
Complementary PNP Part MMBT3906 MMBT3906
Estado RoHS Compliant (Lead Free version available) —
AEC-Q101 Qualified Yes (S-prefix variant) —
Tipo de transistor — NPN
Rango de temperatura de funcionamiento — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (fully RoHS compliant per datasheet)
Automotive Grade (AEC-Q101) — Qualified by selected suppliers

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización