MMBT3904LT1 vs MMBT3904 비교

다음의 상세 나란히 비교: MMBT3904LT1 제조: onsemi 및 MMBT3904 제조: onsemi. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 MMBT3904LT1 MMBT3904
브랜드 onsemi onsemi
카테고리 Transistors Transistors
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.04 $0.04
Polarity NPN —
컬렉터-이미터 전압 (Vceo) 40 V 40 V
컬렉터-베이스 전압 (Vcbo) 60 V 60 V
이미터-베이스 전압 (Vebo) 6 V 6 V
Continuous Collector Current (IC) 200 mA 200 mA
Power Dissipation (PD) 200 mW (on minimum recommended pad) 200 mW to 350 mW (board-dependent)
DC Current Gain (hFE) 100 to 300 100 to 300 (at IC=10 mA, VCE=1.0 V)
전이 주파수 (ft) 300 MHz (min) 300 MHz (typ, at VCE=20 V, IC=10 mA)
컬렉터-이미터 포화 전압 (Vce(sat)) [DATA_NEEDED: exact VCE(sat) value at rated IC] —
Noise Figure 5 dB (max) 5 dB (max)
동작 접합 온도 -55 °C to +150 °C —
패키지 SOT-23 (TO-236), 3-pin SOT-23 (TO-236AB), 3 pins
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Die Construction Epitaxial Planar —
Complementary PNP Part MMBT3906 MMBT3906
RoHS 상태 Compliant (Lead Free version available) —
AEC-Q101 Qualified Yes (S-prefix variant) —
트랜지스터 유형 — NPN
동작 온도 범위 — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (fully RoHS compliant per datasheet)
Automotive Grade (AEC-Q101) — Qualified by selected suppliers

데이터시트 & 자료

모든 제품 보기 BOM 생성 견적 요청