MMBT3904LT1 vs MMBT3904 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MMBT3904LT1 par onsemi et MMBT3904 par onsemi. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre MMBT3904LT1 MMBT3904
Marque onsemi onsemi
Catégorie Transistors Transistors
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,04 $0,04
Polarity NPN —
Tension collecteur-émetteur (Vceo) 40 V 40 V
Tension collecteur-base (Vcbo) 60 V 60 V
Tension émetteur-base (Vebo) 6 V 6 V
Continuous Collector Current (IC) 200 mA 200 mA
Power Dissipation (PD) 200 mW (on minimum recommended pad) 200 mW to 350 mW (board-dependent)
DC Current Gain (hFE) 100 to 300 100 to 300 (at IC=10 mA, VCE=1.0 V)
Fréquence de transition (ft) 300 MHz (min) 300 MHz (typ, at VCE=20 V, IC=10 mA)
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) [DATA_NEEDED: exact VCE(sat) value at rated IC] —
Noise Figure 5 dB (max) 5 dB (max)
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +150 °C —
Boîtier SOT-23 (TO-236), 3-pin SOT-23 (TO-236AB), 3 pins
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Die Construction Epitaxial Planar —
Complementary PNP Part MMBT3906 MMBT3906
Statut RoHS Compliant (Lead Free version available) —
AEC-Q101 Qualified Yes (S-prefix variant) —
Type de transistor — NPN
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (fully RoHS compliant per datasheet)
Automotive Grade (AEC-Q101) — Qualified by selected suppliers

Fiches techniques et ressources

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