MMBT3904LT1 vs MMBT3904 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MMBT3904LT1 por onsemi e MMBT3904 por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro MMBT3904LT1 MMBT3904
Marca onsemi onsemi
Categoria Transistors Transistors
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,04 $0,04
Polarity NPN —
Tensão coletor-emissor (Vceo) 40 V 40 V
Tensão coletor-base (Vcbo) 60 V 60 V
Tensão emissor-base (Vebo) 6 V 6 V
Continuous Collector Current (IC) 200 mA 200 mA
Power Dissipation (PD) 200 mW (on minimum recommended pad) 200 mW to 350 mW (board-dependent)
DC Current Gain (hFE) 100 to 300 100 to 300 (at IC=10 mA, VCE=1.0 V)
Frequência de transição (ft) 300 MHz (min) 300 MHz (typ, at VCE=20 V, IC=10 mA)
Tensão de saturação coletor-emissor (Vce(sat)) [DATA_NEEDED: exact VCE(sat) value at rated IC] —
Noise Figure 5 dB (max) 5 dB (max)
Temperatura de junção de operação -55 °C to +150 °C —
Encapsulamento SOT-23 (TO-236), 3-pin SOT-23 (TO-236AB), 3 pins
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Die Construction Epitaxial Planar —
Complementary PNP Part MMBT3906 MMBT3906
Status RoHS Compliant (Lead Free version available) —
AEC-Q101 Qualified Yes (S-prefix variant) —
Tipo de transistor — NPN
Faixa de temperatura de operação — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (fully RoHS compliant per datasheet)
Automotive Grade (AEC-Q101) — Qualified by selected suppliers

Fichas técnicas e recursos

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