MT40A2G8AG-062E vs H5ANAG8NBJR-VKC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT40A2G8AG-062E von Micron Technology und H5ANAG8NBJR-VKC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT40A2G8AG-062E H5ANAG8NBJR-VKC
Marke Micron Technology SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $9,75 $8,60
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit
Speicherorganisation 2G x 8 2G x 8
Speed DDR4-3200 (3200 MT/s) —
Clock Frequency 1600 MHz 1.6 GHz (internal interface per distributor data)
Access Time (Clock Cycle Time) 0.625 ns (tCK) —
CAS-Latenz CL22 (DDR4-3200) —
Access Time 19 ns —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
I/O Interface POD12 (1.2 V pseudo-open drain) —
VPP Voltage 2.5 V —
Number of Banks 16 (4 bank groups x 4 banks) —
Operating Temperature (AUT grade) -40C to +95C (per Micron grade table) —
Gehäuse 78-FBGA (7.5 x 11 mm) FBGA-78
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant, Lead-Free and Halogen-Free
Die Revision AG (current generation) —
Speed Grade — DDR4-2666 (2666 Mbps/pin)
Versorgungsspannung — 1.14 V to 1.26 V (VDDQ)
Betriebstemperatur — 0C to +85C
Standby Current — 30 mA (operating, per distributor listing)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval]

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