MT40A2G8AG-062E vs H5ANAG8NBJR-VKC 比較

詳細な並列比較: MT40A2G8AG-062E メーカー: Micron Technology および H5ANAG8NBJR-VKC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ 生産中
SK hynix
H5ANAG8NBJR-VKC H5ANAG8NBJR-VKC - 16Gb DDR4-2666 SDRAM x8 FBGA-78 | SK Hynix

H5ANAG8NBJR-VKC - 16Gb DDR4-2666 SDRAM x8 FBGA-78 | SK Hynix

H5ANAG8NBJR-VKC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A2G8AG-062E H5ANAG8NBJR-VKC
ブランド Micron Technology SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $9.75 $8.60
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit
メモリ構成 2G x 8 2G x 8
Speed DDR4-3200 (3200 MT/s) —
Clock Frequency 1600 MHz 1.6 GHz (internal interface per distributor data)
Access Time (Clock Cycle Time) 0.625 ns (tCK) —
CASレイテンシ CL22 (DDR4-3200) —
Access Time 19 ns —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
I/O Interface POD12 (1.2 V pseudo-open drain) —
VPP Voltage 2.5 V —
Number of Banks 16 (4 bank groups x 4 banks) —
Operating Temperature (AUT grade) -40C to +95C (per Micron grade table) —
パッケージ 78-FBGA (7.5 x 11 mm) FBGA-78
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant Compliant, Lead-Free and Halogen-Free
Die Revision AG (current generation) —
Speed Grade — DDR4-2666 (2666 Mbps/pin)
電源電圧 — 1.14 V to 1.26 V (VDDQ)
動作温度 — 0C to +85C
Standby Current — 30 mA (operating, per distributor listing)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval]

データシート&リソース

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