MT40A2G8AG-062E vs H5ANAG8NBJR-VKC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A2G8AG-062E par Micron Technology et H5ANAG8NBJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A2G8AG-062E MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E - 16Gb DDR4 SDRAM 2Gx8 3200Mbps | Micron

MT40A2G8AG-062E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A2G8AG-062E H5ANAG8NBJR-VKC
Marque Micron Technology SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $9,75 $8,60
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit
Organisation de la mémoire 2G x 8 2G x 8
Speed DDR4-3200 (3200 MT/s) —
Clock Frequency 1600 MHz 1.6 GHz (internal interface per distributor data)
Access Time (Clock Cycle Time) 0.625 ns (tCK) —
Latence CAS CL22 (DDR4-3200) —
Access Time 19 ns —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
I/O Interface POD12 (1.2 V pseudo-open drain) —
VPP Voltage 2.5 V —
Number of Banks 16 (4 bank groups x 4 banks) —
Operating Temperature (AUT grade) -40C to +95C (per Micron grade table) —
Boîtier 78-FBGA (7.5 x 11 mm) FBGA-78
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant, Lead-Free and Halogen-Free
Die Revision AG (current generation) —
Speed Grade — DDR4-2666 (2666 Mbps/pin)
Tension d'alimentation — 1.14 V to 1.26 V (VDDQ)
Température de fonctionnement — 0C to +85C
Standby Current — 30 mA (operating, per distributor listing)
Auto Self-Refresh — Yes
Data Mask Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Asynchronous Reset — Yes
ZQ Calibration — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval]

Fiches techniques et ressources

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